Rof Intensity Modulator thin film lithium niobate modulator 40G TFLN modulator

Mubo nga Deskripsyon:

Ang thin film lithium niobate on insulator (LNOI) nga materyal nakapanunod sa maayo kaayong electro-optic nga mga kabtangan sa bulk lithium niobate nga mga materyales, nga naghatag ug bag-ong solusyon para sa high-speed electro-optic modulator chips nga mahimong i-integrate, i-miniaturize, ug adunay taas nga modulation efficiency. Nakahimo kami og wideband, low half wave voltage thin film LiNbO3 electro-optic modulator nga gibase sa LNOI nga materyal. Ang among produkto adunay maayo kaayong mga kinaiya sa taas nga kalig-on, ubos nga insertion loss, ug gamay nga gidak-on, nga mas bentaha kay sa tradisyonal nga bulk material lithium niobate modulators, ug adunay lapad nga mga palaaboton sa aplikasyon sa high-speed optical communication ug microwave photonics nga mga natad.

Padad-i kami og email I-DOWNLOAD

Detalye sa Produkto

Ang Rofea Optoelectronics nagtanyag og mga produkto sa Optical ug photonics Electro-optic modulators

Mga Tag sa Produkto

Bahin

Taas nga bandwidth, ubos nga pagkawala, ubos nga boltahe sa pagmaneho, gamay nga gidak-on, taas nga kalig-on

Kaumahan

Taas nga tulin nga komunikasyon sa optika, microwave photonics, radar, ug uban pa

Rof EOM Intensity Modulator 20G thin film lithium niobate modulator TFLN modulator

Parametro

Parametro	Sym	timailhan	Yunit
wavelength sa pagtrabaho	λ	1530~1565	nm
Pagkawala sa pagsal-ot sa optika	IL	≤ 5.5 (Tipo 4.5)	dB
ratio sa pagkapuo	ER	≥ 25	dB
Pagkawala sa pagbalik sa optika	RL	≤ -30	dB
Pinakataas nga gahum sa optika sa input	P_in	≤ 200	mW
Bandwidth sa modulasyon sa elektro optika (3dB, gikan sa 2GHz)	BW	≥ 40	GHz
Boltahe sa tunga sa balud sa RF @ 50KHz	Vπ	≤ 3.5	V
RF nga repleksyon	S₁₁	≤ -10	dB
Pinakataas nga gahum sa pag-input sa RF	S_in	≤ 25	dBm
Gahum sa tunga sa balud nga may bias sa kainit	Pπ	50	mW
Boltahe sa bias sa kainit	U_pampainit	< 8	V
Temperatura sa Pag-operate	T_O	-55~85	℃
Temperatura sa pagtipig	T_S	-55~85	℃

Impormasyon sa order

Sym	Ddeskripsyon	Opsyonal nga parametro
λ	wavelength sa pagtrabaho	C (~1550nm)，O (~1310nm)
BW	3dB nga bandwidth	40(40GHz)
PD	Pagmonitor sa PD	1 (nahiusa), 0 (wala nahiusa)
IF	Pag-input sa fiber optic	P (polarisasyon nga nagmintinar sa fiber)
OF	Output nga fiber optic	P (polarisasyon nga nagmintinar sa fiber), S (standard nga single-mode fiber)
S	Boltahe sa tunga nga balud	S nga sukdanan

Gidak-on sa pakete ug kahulugan sa pin

Psa kahulugan:

Stistis	Fpagdihog
RF	RF input, 1.85mm nga babaye nga ulo
A	Elektrod nga bias sa termostatiko (positibo ug negatibo)
B	Elektrod nga bias sa termostatiko
C	Backup nga thermal adjustment bias electrode
D	Backup nga thermal adjustment bias electrode

Miagi: Rof 2000nm High-speed 2um electro-optic phase modulator

Sunod: ROF Si nga mapasibo nga gain photodetector nga Silicon Photodetector

Ang Rofea Optoelectronics nagtanyag og linya sa produkto sa komersyal nga Electro-optic modulators, Phase modulators, Intensity modulator, Photodetectors, Laser light sources, DFB lasers, Optical amplifiers, EDFA, SLD laser, QPSK modulation, Pulse laser, Light detector, Balanced photodetector, Laser driver, Fiber optic amplifier, Optical power meter, Broadband laser, Tunable laser, Optical detector, Laser diode driver, Fiber amplifier. Naghatag usab kami og daghang partikular nga modulators para sa customization, sama sa 1*4 array phase modulators, ultra-low Vpi, ug ultra-high extinction ratio modulators, nga panguna nga gigamit sa mga unibersidad ug instituto.
Nanghinaut ko nga ang among mga produkto makatabang kanimo ug sa imong panukiduki.

Mga May Kalabutan nga Produkto